ЯДРО ДРАЙВЕРА-03 предназначено для управления силовыми IGBT-транзисторами напряжением до 1700 В и током до 900 А.
Функциональные возможности:
• Два выходных канала управления транзисторами;
• Встроенный гальванически развязанный двухполярный источник питания;
• Защита от пониженного напряжения питания драйвера;
• Защита от короткого замыкания каждого транзистора;
• «Мягкое» выключение транзисторов при коротком замыкании.
Электрические характеристики представлены в таблице:
|
Электрические характеристики |
|||
|
Обозначение |
Параметр |
Величина |
Единицы |
|
VS |
Напряжение питания драйверной части |
24 ± 10% |
В |
|
VDD |
Напряжение питания цепей управления |
5 ± 10% |
В |
|
IS |
Ток потребления драйверной части (полная нагрузка), не более |
0,6 |
А |
|
IDD |
Ток потребления цепей управления, не более |
20 |
мА |
|
VINH |
Пороговое напряжение входа PWM+, PWM-, Reset/En (высокий уровень) |
3,5 |
В |
|
VINL |
Пороговое напряжение входа PWM+, PWM-, Reset/En (низкий уровень) |
1,5 |
В |
|
RIN+ |
Входное сопротивление входов PWM+, PWM-, Reset/En, не менее |
2 |
кОм |
|
VG(ON) |
Напряжение включения транзистора |
15 ± 3% |
В |
|
VG(OFF) |
Напряжение выключения транзистора |
-11 … -9 |
В |
|
tPDLH |
Время задержки включения (вход-выход) |
210 |
нс |
|
tPDLL |
Время задержки выключения (вход-выход) |
180 |
нс |
|
tDESAT |
Время задержки срабатывания защиты от короткого замыкания |
4 … 6 |
мкс |
|
CIO |
Емкость изоляции барьера между входами и выходами |
7 |
пФ |
