Новое ЯДРО ДРАЙВЕРА-03 для управления силовыми IGBT-транзисторами

Разработано ЯДРО ДРАЙВЕРА-03, предназначенное для управления силовыми IGBT-транзисторами напряжением до 1700 В и током до 900 А.

Ядро драйвера IGBT

Функциональные возможности:

  1. Два выходных канала управления транзисторами;
  2. Встроенный гальванически развязанный двухполярный источник питания;
  3. Защита от пониженного напряжения питания драйвера;
  4. Защита от короткого замыкания каждого транзистора;
  5. «Мягкое» выключение транзисторов при коротком замыкании.

Основные технические характеристики и 3D модель приведены на странице продукта.